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RS1JL M2G

廠家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封裝：: Sub SMA
數(shù)量：: 3546
說明：: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA

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RS1JL M2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：Sub SMA
封裝/外殼：DO-219AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：10pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：250 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 800 mA
電流 - 平均整流 (Io)：800mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

以上是RS1JL M2G的詳細(xì)信息，包括RS1JL M2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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