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RN1119MFV,L3F

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數(shù)量：: 4266
說(shuō)明：: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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RN1119MFV,L3F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：1 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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