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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：20A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2000pF @ 10V
功率 - 最大：55W
安裝類型：*

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