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RGT50NS65DGC9

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 9567  
說明:
 IGBT TRENCH FIELD 650V 48A TO262
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RGT50NS65DGC9-TO-262圖片

RGT50NS65DGC9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時間 (trr):58 ns
測試條件:400V,25A,10歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關(guān))值:27ns/88ns
柵極電荷:49 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:-
功率 - 最大值:194 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):75 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):48 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGT50NS65DGC9的詳細(xì)信息,包括RGT50NS65DGC9廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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