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R8008ANX

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220-3 整包
數(shù)量：: 8667
說(shuō)明：: MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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R8008ANX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：85 ns
上升時(shí)間：50 ns
功率耗散：50 W
柵極電荷 Qg：39 nC
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.03 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R8008ANX的詳細(xì)信息，包括R8008ANX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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