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中文參數(shù)如下：
類(lèi)型：Phototransistor
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：5 us
最小工作溫度：- 25 C
最大工作溫度：+ 85 C
下降時(shí)間：6 us
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
最大暗電流：100 nA
最大功率耗散：50 mW
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：光電晶體管
制造商：Sharp Microelectronics
以上是PT200MC0NP的詳細(xì)信息，包括PT200MC0NP廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
