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PHB112N06T,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 3897
說明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHB112N06T,118-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

PHB112N06T,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：100 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：94 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：NXP

以上是PHB112N06T,118的詳細信息，包括PHB112N06T,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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