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PBSS8510PA,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 3-HUSON（2x2）
數(shù)量：: 26509
說明：: 兩極晶體管 - BJT 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR

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PBSS8510PA,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：3-PowerUDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：150MHz
功率 - 最大值：2.1 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：95 @ 2A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：340mV @ 260mA，5.2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5.2 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Nexperia USA Inc.

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