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NXH35C120L2C2SG

廠家:
  onsemi
封裝:
 26-DIP
數(shù)量:
 6479  
說明:
 IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
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NXH35C120L2C2SG-26-DIP圖片

NXH35C120L2C2SG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:是
輸入:三相橋式整流器
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):8.33 nF @ 20 V
電流 - 集電極截止(最大值):250 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A
功率 - 最大值:20 mW
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:三相反相器,帶制動(dòng)器
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是NXH35C120L2C2SG的詳細(xì)信息,包括NXH35C120L2C2SG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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