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NTHS2101PT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SMD，扁平引線
數(shù)量：: 5112
說(shuō)明：: MOSFET -8V -7.5A P-Channel

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NTHS2101PT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：73 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：28 ns
功率耗散：1.3 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：20 S
下降時(shí)間：28 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.034 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHS2101PT1G的詳細(xì)信息，包括NTHS2101PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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