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NTB5605T4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5472
說明：: MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK

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NTB5605T4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：122 ns
功率耗散：88 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：75 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：18.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTB5605T4G的詳細(xì)信息，包括NTB5605T4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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