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NSBC115EPDXV6T1G

廠家：: onsemi
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 5445
說(shuō)明：: SS SOT563 RSTR XSTR TR

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NSBC115EPDXV6T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：357mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：100 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：100 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

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