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NIF62514T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-261-4，TO-261AA
數(shù)量：: 1287
說明：: MOSFET 42V 6A N-Channel

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NIF62514T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：32 us
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：11 us
功率耗散：8.93 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 us
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.09 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NIF62514T1G的詳細信息，包括NIF62514T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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