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NCV33152DR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 1431  
說明:
  功率驅(qū)動(dòng)器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
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NCV33152DR2G-8-SOIC圖片

NCV33152DR2G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
輸出端數(shù)量:2
激勵(lì)器數(shù)量:2
最小工作溫度:- 40 C
配置:Non-Inverting
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
最大功率耗散:560 mW
電源電流:10.5 mA
電源電壓-最。6.5 V
下降時(shí)間:32 ns
上升時(shí)間:36 ns
類型:High Speed
RoHS:是
產(chǎn)品種類: 功率驅(qū)動(dòng)器IC
制造商:ON Semiconductor

以上是NCV33152DR2G的詳細(xì)信息,包括NCV33152DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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