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NCP5111DR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 1594
說(shuō)明：: 功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER

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NCP5111DR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
輸出端數(shù)量：2
激勵(lì)器數(shù)量：2
配置：Inverting, Non-Inverting
包裝形式：Reel
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電源電流：5 mA
電源電壓-最�。�10 V
下降時(shí)間：75 ns
上升時(shí)間：160 ns
類型：High Side/Low Side
RoHS：是
產(chǎn)品種類：功率驅(qū)動(dòng)器IC
制造商：ON Semiconductor

以上是NCP5111DR2G的詳細(xì)信息，包括NCP5111DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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