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MVGSF1N02LT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 15085  
說(shuō)明:
 MOSFET
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MVGSF1N02LT1G-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

MVGSF1N02LT1G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:400 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):90 mOhms
漏極連續(xù)電流:750 mA
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是MVGSF1N02LT1G的詳細(xì)信息,包括MVGSF1N02LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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