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MV2N5114UB/TR

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 10410  
說明:
 JFET P-CH 30V UB
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MV2N5114UB/TR-圖片

MV2N5114UB/TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:UB
封裝/外殼:3-SMD,無引線
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:500 mW
電阻 - RDS(On):75 Ohms
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V
不同 Id 時(shí)電壓 - 截止 (VGS off):5 V @ 1 nA
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)電流 - 漏極 (Idss):30 mA @ 18 V
漏源電壓(Vdss):30 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30 V
FET 類型:P 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Military, MIL-PRF-19500
系列:卷帶(TR)
品牌:Microchip Technology

以上是MV2N5114UB/TR的詳細(xì)信息,包括MV2N5114UB/TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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