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MTY100N10E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-264-3,TO-264AA
數(shù)量:
 1512  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
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MTY100N10E-TO-264-3,TO-264AA圖片

MTY100N10E PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs378nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 10640pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類(lèi)型通孔

以上是MTY100N10E的詳細(xì)信息,包括MTY100N10E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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