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MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR

廠家:
  Micron Technology Inc.
封裝:
 200-TFBGA(10x14.5)
數(shù)量:
 7560  
說明:
 IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
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MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR-200-TFBGA(10x14.5)圖片

MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:200-TFBGA(10x14.5)
封裝/外殼:200-TFBGA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V
訪問時間:3.5 ns
寫周期時間 - 字,頁:18ns
時鐘頻率:2.133 GHz
存儲器接口:并聯(lián)
存儲器組織:512M x 32
存儲容量:16Gb
技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X
存儲器格式:DRAM
存儲器類型:易失
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q100
系列:卷帶(TR)
品牌:Micron Technology Inc.

以上是MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR的詳細信息,包括MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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