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MSD601-ST1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-59-3
數(shù)量：: 63
說明：: 兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN

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MSD601-ST1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
封裝形式：SC-59-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：290 at 2 mA at 10 V
最大直流電集電極電流：0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MSD601-ST1G的詳細信息，包括MSD601-ST1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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