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MPSW56_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-226
數(shù)量:
 3294  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose
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MPSW56_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Bulk
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
封裝形式:TO-226
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100 at 50 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:1 A
集電極—射極飽和電壓:80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MPSW56_Q的詳細(xì)信息,包括MPSW56_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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