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MMBT5179_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23-3
數(shù)量:
 3393  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor
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MMBT5179_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:225 mW
封裝形式:SOT-23-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:25 at 3 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:2 GHz
最大直流電集電極電流:0.05 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V
集電極—基極電壓 VCBO:20 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MMBT5179_Q的詳細(xì)信息,包括MMBT5179_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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