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MMBT4355_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 3258
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

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MMBT4355_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 100 uA at 10 V
最大直流電集電極電流：0.8 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBT4355_Q的詳細(xì)信息，包括MMBT4355_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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