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MMBT200_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 3923
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

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MMBT200_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
直流電流增益 hFE 最大值：450
集電極連續(xù)電流：- 0.5 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產(chǎn)品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：- 45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 45 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBT200_Q的詳細(xì)信息，包括MMBT200_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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