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MJE5851G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 7314  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP
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MJE5851G-TO-220-3圖片

MJE5851G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:80 W
集電極連續(xù)電流:8 A
封裝形式:TO-220-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:15
最大直流電集電極電流:8 A
集電極—射極飽和電壓:350 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:350 V
集電極—基極電壓 VCBO:400 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MJE5851G的詳細(xì)信息,包括MJE5851G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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