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MJD45H11T4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252-3 (DPAK)
數(shù)量：: 6868
說明：: 兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP

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MJD45H11T4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：20 W
集電極連續(xù)電流：8 A
封裝形式：TO-252-3 (DPAK)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 2 A at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：90 MHz
最大直流電集電極電流：8 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：5 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD45H11T4G的詳細信息，包括MJD45H11T4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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