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MJD29CITU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 5877
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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MJD29CITU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Rail
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1560 mW
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40 at 0.2 A at 4 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：3 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MJD29CITU的詳細(xì)信息，包括MJD29CITU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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