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MIEB100W1200TEH

廠家:
  IXYS
封裝:
 E3
數(shù)量:
 6039  
說明:
 IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB100W1200TEH PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:E3
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):7.43 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):300 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,100A
功率 - 最大值:630 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):183 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:三相反相器
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:盒
品牌:IXYS

以上是MIEB100W1200TEH的詳細(xì)信息,包括MIEB100W1200TEH廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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