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MCT5211M

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 6-DIP
數(shù)量:
 1314  
說(shuō)明:
 高速光耦合器 Phototransistor
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MCT5211M-6-DIP圖片

MCT5211M PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
上升時(shí)間:20 us
輸出設(shè)備:Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
絕緣電壓:5300 Vrms
輸入類(lèi)型:DC
下降時(shí)間:30 us
包裝形式:Bulk
封裝形式:PDIP-6
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:260 mW
最大輸入二極管電流:50 mA
最大反向二極管電壓:6 V
最大正向二極管電壓:1.5 V
最大波特率:150 kBps
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):高速光耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MCT5211M的詳細(xì)信息,包括MCT5211M廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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