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KST2907AMTF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 8055
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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KST2907AMTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
直流電流增益 hFE 最大值：300
集電極連續(xù)電流：- 0.6 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產(chǎn)品fT：200 MHz
最大直流電集電極電流：0.6 A
集電極—射極飽和電壓：- 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST2907AMTF_Q的詳細(xì)信息，包括KST2907AMTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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