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KSD2012GTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F-3
數(shù)量：: 8190
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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KSD2012GTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：3MHz
功率 - 最大值：25 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 500mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：100μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：1V @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是KSD2012GTU的詳細(xì)信息，包括KSD2012GTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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