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KSB810YTA_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92S
數(shù)量：: 3843
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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KSB810YTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：- 0.7 A
封裝形式：TO-92S
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：160 MHz
最大直流電集電極電流：0.7 A
集電極—射極飽和電壓：- 25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 25 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSB810YTA_Q的詳細(xì)信息，包括KSB810YTA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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