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KSB1151YSTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-126-3
數(shù)量:
 5351  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil
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KSB1151YSTU-TO-126-3圖片

KSB1151YSTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:-
功率 - 最大值:1.3 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 2A,1V
電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 200mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):60 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是KSB1151YSTU的詳細(xì)信息,包括KSB1151YSTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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