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JFE2140DR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7943
說明：: JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC

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JFE2140DR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：8-SOIC
封裝/外殼：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：-
電阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 5V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 0.1 μA
漏極電流 (Id) - 最大值：50 mA
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss)：-
漏源電壓（Vdss）：40 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 類型：2 N-通道（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Texas Instruments

以上是JFE2140DR的詳細信息，包括JFE2140DR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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