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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXXQ30N60B3M

IXXQ30N60B3M

廠家：: IXYS
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 6660
說明：: IGBT

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IXXQ30N60B3M PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：36 ns
測試條件：400V，24A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：23ns/150ns
柵極電荷：39 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：550μJ（開），800μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：90 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，24A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：140 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：33 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：XPT?, GenX3?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXXQ30N60B3M的詳細信息，包括IXXQ30N60B3M廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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