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IXTT10N100D

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
數(shù)量:
 7821  
說明:
 MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds
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IXTT10N100D-TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA圖片

IXTT10N100D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:110 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:85 ns
功率耗散:400 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:75 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTT10N100D的詳細信息,包括IXTT10N100D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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