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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXGM40N60

IXGM40N60

廠家：: IXYS
封裝：: TO-204AE
數(shù)量：: 1728
說明：: POWER MOSFET TO-3

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IXGM40N60 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-204AE
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：200 ns
測試條件：480V，40A，22 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：100ns/600ns
柵極電荷：250 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：250 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXGM40N60的詳細(xì)信息，包括IXGM40N60廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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