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IXFH50N20

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 8590  
說明:
 MOSFET DIODE Id50 BVdass200
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IXFH50N20-TO-247-3圖片

IXFH50N20 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:72 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:15 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :32 s
下降時間:16 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247AD
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.045 Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXFH50N20的詳細(xì)信息,包括IXFH50N20廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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