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IRLI640GPBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3 全封裝,隔離接片
數量:
 8881  
說明:
 MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
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IRLI640GPBF-TO-220-3 全封裝,隔離接片圖片

IRLI640GPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:44 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:83 ns
功率耗散:40 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:52 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 Full-Pak
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流:9.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRLI640GPBF的詳細信息,包括IRLI640GPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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