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IRF830STRR

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 2421  
說明:
 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
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IRF830STRR-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IRF830STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 歐姆 @ 2.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4.5A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :610pF @ 25V
功率 - 最大:74W
安裝類型:表面貼裝

以上是IRF830STRR的詳細(xì)信息,包括IRF830STRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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