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IRF6626

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 DirectFET? 等容 ST
數(shù)量:
 2349  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
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IRF6626-DirectFET? 等容 ST圖片

IRF6626 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns
工廠包裝數(shù)量:4800
上升時(shí)間:15 ns
功率耗散:2.2 W
最小工作溫度:- 40 C
下降時(shí)間:4.5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:Direct-FET ST
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流:16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:International Rectifier

以上是IRF6626的詳細(xì)信息,包括IRF6626廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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