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IPP029N06NAKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 2754  
說明:
 MOSFET
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IPP029N06NAKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
上升時(shí)間:15 ns
功率耗散:136 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:56 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :160 S
下降時(shí)間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:PG-TO220-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2.9 mOhms
漏極連續(xù)電流:100 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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