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IMBD4448-HE3-18

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 3312
說明：: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3

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IMBD4448-HE3-18 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：SOT-23-3
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2.5 μA @ 70 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：4 ns
速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1 V @ 10 mA
電流 - 平均整流 (Io)：150mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：75 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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