IKB30N65EH5ATMA1

廠(chǎng)家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數(shù)量：: 6237
說(shuō)明：: IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK

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IKB30N65EH5ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：75 ns
測(cè)試條件：400V，30A，22 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：24ns/159ns
柵極電荷：70 nC
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：870μJ（開(kāi)），300μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：188 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：55 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchStop? 5
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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