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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼：10-PowerSOP 模塊
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：302pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：20 μA @ 420 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：-
電流 - 平均整流 (Io)：18A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?+
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IDDD06G65C6XTMA1的詳細信息，包括IDDD06G65C6XTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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