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HTNFET-D

廠(chǎng)家:
  Honeywell Aerospace
封裝:
 8-CDIP 裸露焊盤(pán)
數(shù)量:
 1395  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
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HTNFET-D-8-CDIP 裸露焊盤(pán)圖片

HTNFET-D PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫歐 @ 100mA, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:-
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:4.3nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :290pF @ 28V
功率 - 最大:50W
安裝類(lèi)型:通孔

以上是HTNFET-D的詳細(xì)信息,包括HTNFET-D廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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