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HN1B04FU-GR(L,F,T)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 2-2J1A
數(shù)量:
 12821  
說明:
 兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA
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HN1B04FU-GR(L,F,T)-2-2J1A圖片

HN1B04FU-GR(L,F,T) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:200 mW
集電極連續(xù)電流:+ / - 150 mA
封裝形式:2-2J1A
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120
增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz, 120 MHz
集電極—射極飽和電壓:0.1 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:+ / - 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:+ / - 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V, - 50 V
晶體管極性:NPN/PNP
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN1B04FU-GR(L,F,T)的詳細(xì)信息,包括HN1B04FU-GR(L,F,T)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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