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HGTP5N120BND

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB-3
數(shù)量：: 2317
說明：: IGBT 晶體管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

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HGTP5N120BND PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：HGTP5N120BND_NL
工廠包裝數(shù)量：400
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：21 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：167 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：21 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.45 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTP5N120BND的詳細信息，包括HGTP5N120BND廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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