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H11N3W

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 6-DIP
數(shù)量:
 1350  
說明:
 高速光耦合器
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H11N3W-6-DIP圖片

H11N3W PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

上升時間:7.5 ns
輸出設備:Photo IC
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
最大正向二極管電流:30 mA
最大連續(xù)輸出電流:50 mA
絕緣電壓:5300 Vrms
下降時間:12 ns
封裝形式:PDIP-6
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
最大功率耗散:250 mW
最大反向二極管電壓:6 V
最大正向二極管電壓:2 V
最大波特率:5 MBps
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是H11N3W的詳細信息,包括H11N3W廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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