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H11AG1M

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 6-DIP
數(shù)量:
 6498  
說明:
 晶體管輸出光電耦合器 PHOTOTRANSISTOR
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H11AG1M-6-DIP圖片

H11AG1M PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
輸出類型:DC
輸出設(shè)備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
最大反向二極管電壓:6 V
最大輸入二極管電流:50 mA
包裝形式:Bulk
封裝形式:PDIP-6
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:260 mW
最大集電極電流:50 mA
最大正向二極管電壓:1.5 V
絕緣電壓:7500 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V
最大集電極/發(fā)射極電壓:30 V
輸入類型:DC
RoHS:是
產(chǎn)品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是H11AG1M的詳細信息,包括H11AG1M廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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